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俄歇电子 编辑
俄歇电子 是由于原子中的电子被激发而产生的次级电子。当原子内壳层的电子被激发形成一个空洞时,电子从外壳层跃迁到内壳层的空洞并释放出能量;虽然能量有时以光子的形式被释放出来;这种能量可以被转移到另一个电子,导致其从原子激发出来。这个被激发的电子就是俄歇电子。这个过程被称为俄歇效应,以发现此过程的法国物理学家P.V.俄歇命名。
俄歇现象 于1925 年由 P .Auger 发现。 28 年以后,J .J .Lander 指出电子激发的俄歇电子可以用于检测表面杂质,但是要从噪声中检测出十分微弱的俄歇电子信号,当时技术上尚无法实现 。
1968年,L.A .Harris 提出了一种“相敏检测” 方法 , 大大改善了信噪比,使俄歇信号的检测成为可能。以后随着能量分析器的完善 , 使俄歇谱仪达到了可以实用的阶段 。
1970 年通过扫描细聚焦电子束, 实现了表面组分的两维分布的分析(所得图像称俄歇图),出现了所谓的扫描俄歇微探针。
1972 年 ,R .W .Palmberg利用离子溅射,将表面逐层剥离,获得了元素的深度分析,实现了三维分析。至此,俄歇谱仪的基本格局已经确定,开始被广泛使用。
因为俄歇电子的能量 EK 是由相应的三个能级的电子结合能决定的, 而后者是代表元素原子种类特征,因此原则上测得 EK 即可判定元素之种类,关键是要测出俄歇电子N(E)随能量(E)的分布,即N(E)~ E 曲线, 或称为俄歇谱。俄歇谱可以由一个或多个俄歇峰组成, 每个俄歇峰对应每一个特定的俄歇跃迁过程 。用以测录俄歇谱的设备为俄歇(电子)谱仪。在实际工作中 , 以测录的俄歇谱和标准手册提供的图谱,通过一定的方法,以判定原子的种类和浓度。
由于常用的俄歇电子的能量均在 2keV 以下,因此大致上只有在表面 2nm 深度范围内发射的俄歇电子才能不改变原携带的信息而逸出体外。这就是俄歇谱仪之所以表面灵敏的原因。值得指出的是,以上讨论也适用其它过程产生的电子,如 X 光电子谱仪的情况。
俄歇电子谱 是俄歇电子信号 N(E)随其动能 E的分布。有两种表达方式,分别为直接谱和微分谱。
直接谱 N(E)~ E
对于直接谱而言,此时俄歇电子信号 N(E)以背景之上的俄歇电子峰的高度或俄歇峰所覆盖的面积表示。谱图保留了丰富的化学信息,随着弱信号测量技术的进步和高能量分辨俄歇电子谱仪的应用,此种测量方式日益受到重视。
微分谱 dN(E)/dE ~ E
在微分谱中,dN(E)/dE 为俄歇电子信号对能量的一次微分,此时俄歇电子信号强度以微分谱的正、负峰的峰与峰的高度差表示,常称为峰-峰值。
俄歇电子具有特征性能量,其能量与释放俄歇电子的原子中的电子转移有关。俄歇电子的释放是释放特征性X射线的替代形式。俄歇电子的能量EA可由下面式子得出:
EA=E1-E2-E3,
其中,E1为具有内壳层空位的原子能量,E2为具有外壳层空缺的原子能量,E3为(俄歇)电子的结合能。