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半导体材料及材料物理学家，中国科学院院士

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王占国，男，1938年12月生，河南省镇平人，半导体材料及材料物理学家，中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师。王占国1962年毕业于南开大学物理系，同年到中国科学院半导体所工作。曾任中科院半导体所副所长，国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长。1995年当选为中国科学院院士。王占国长期从事半导体材料光电性质、半导体深能级和光谱物理研究，砷化镓材料与器件关系研究，半导体低维结构材料与量子器件研究等工作。

据2020年6月中国科学院半导体所官网显示，王占国长期从事半导体材料和材料物理研究。从1980年起，主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究，提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同—缺陷不同能态的新方法，解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论。提出混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型，解释了它们的物理起因。提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据。协助林兰英先生，首次在太空从熔体中生长了GaAs单品并对其光电性质作了系统研究。近年来，领导的实验组又在应变自组装In

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人才培养

培养理念

王占国在科研方面的体会：一是作为科技工作者要实事求是、坚持真理；二是不盲从权威，敢于挑战科学难题；三是要有不耻下问、打破砂锅问到底的精神。

培养成果

据2020年6月中国科学院半导体所官网显示，王占国先后培养硕士、博士和博士后百余名。

荣誉表彰

1995年当选为中国科学院院士。

2001年获得何梁何利科学与技术进步奖。

出版图书

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纳米半导体技术 作者名称王占国 作品时间2006-04-01: 《纳米半导体技术》是2006年化学工业出版社出版的图书，作者是王占国等。

社会任职

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王占国曾任国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长。

据2020年6月西安交通大学官网显示，王占国任半导体材料科学重点实验室学委会主任、中国电子学会半导体和集成技术分会主任、中国材料研究学会副理事长、国家自然科学基金重大研究计划"光电信息功能材料"专家组副组长、北京市人民政府第八届专家顾问团顾问、天津市人民政府特聘专家和多个国际会议顾问委员会委员以及多所高校特聘和兼职教授。

2022年3月12日，王占国院士团队与镇平县人民政府、中光学集团、南阳人才发展集团签约，共建院士工作站。

人物评价

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王院士在半导体材料和材料物理领域取得了杰出的成就。在早期职业生涯中，他致力于人造卫星用硅太阳能电池辐照效应以及和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照效应研究，为中国的两弹一星事业做出了贡献。（《半导体学报》评）

王占国院士为中国半导体材料和材料物理研究方面做出的系统性和创新性的突出贡献，拥有坚持不懈、锐意进取的科学精神和爱国奉献、平易近人的优秀品质，为学部发展、国家科学思想库建设和在青年科技人才培养方面取得了突出成绩。（中国科学院院长、党组书记白春礼评）

“近60年来，王占国院士在半导体材料科学研究等方面取得了一系列重大成果，为国家半导体科技事业的发展做出了突出贡献；王占国院士心系国家和半导体所的发展，为我国科技事业和半导体所的发展建言献策；王占国院士以教育为己任，甘为人梯、提携后进，为国家培养和造就了一大批优秀科技人才。他还回顾了自己1993年作为博士生进入半导体所时，王占国院士对他的深切教诲，指出王占国院士坚持真理的科学精神、报效祖国的爱国情操和淡泊名利的崇高品格为我们树立了楷模，是我们晚辈后学的宝贵财富。” （中科院副院长、中国科学院大学党委书记、校长李树深院士评）

“近60年来，王院士以强烈的事业心、责任感、使命感，为我国半导体材料学科建设和技术创新做出了杰出贡献，而且毫无保留的将自己的学识、经验、成果奉献、传授给年轻一代，为推进人才培养做出了卓越贡献。” （中国科学院半导体所副所长祝宁华评）